IRFH5210TRPBF

1.更低的傳導損耗
2.Enables更好的散熱
3.提高可靠性
4.增加功率密度
5.多廠商兼容性
6.更容易製造
7.更環保
8.提高可靠性

製造商部件號：IRFH9310TRPBF
製造商/品牌International Rectifier (Infineon Technologies)
部分描述：MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
無鉛狀態/RoHS 狀態：無鉛/RoHS 合規
庫存狀況：全新原裝，12000 件庫存。
發貨地：香港
裝運方式：DHL/Fedex/TNT/UPS
產品屬性 屬性值 選擇屬性
部件號 IRFH9310TRPBF
製造商/品牌國際整流器（英飛凌科技）
庫存數量 12000 pcs 庫存
類別分立半導體產品 > 晶體管 - FET、MOSFET - 單
說明 MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
無鉛狀態/RoHS 狀態：無鉛/RoHS 合規
寬度 - 內部 -55°C ~ 150°C (TJ)
電壓/電流 - 輸出 1 PQFN (5x6)
公差 5250pF @ 15V
尾型 P 溝道
步進角 MOSFET（金屬氧化物）
收縮溫度 Infineon Technologies
SFP/XFP 類型 ±20V
遠程功能 HEXFET®
間距 - 電纜表面貼裝
其他名稱 無鉛/符合 RoHS 標準
其他名稱 1
振盪器類型 8-PowerVDFN
DAC的30V個數
最小液體比重 -
配合方向 4.6 mOhm @ 21A，10V
製造商部件號 IRFH9310TRPBFDKR-ND
長度 - 桶形 Digi-Reel®
燈色 4.5V, 10V
高壓側電壓 - 最大值（自舉）21A (Ta)、40A (Tc)
功能 58nC @ 4.5V
線圈電源激活
通道電容 (CS(off), CD(off)) 3.1W (Ta)
讀卡器類型 2.4V @ 100µA
特點和優勢
特性帶來的好處
低 RDSon (≤ 4.6mΩ) 更低的傳導損耗
行業標準 PQFN 封裝多供應商兼容性
符合 RoHS 標準，不含鉛、溴化物和鹵素，更環保
結果是
筆記
表格數量
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm 捲帶 4000
可訂購部件號 包裝類型 標準包裝
VDS -30 伏
RDS(on) 最大值
(@VGS = 10V) 4.6 毫歐
Qg（典型）110 nC
RG（典型值）2.8Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
絕對最大額定值
參數單位
VDS 漏源電壓
VGS 柵源電壓
ID @ TA = 25°C 連續漏極電流，VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C 連續漏極電流，VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C 連續漏極電流，VGS @ -10V（矽限制）
ID @ TC = 70°C 連續漏極電流，VGS @ -10V（矽限制）
ID @ TC = 25°C 連續漏極電流，VGS @ -10V（封裝受限）
IDM 脈衝漏極電流
PD @TA = 25°C 功耗
PD @ TA = 70°C 功耗
線性降額係數 W/°C
TJ 操作結和
TSTG 儲存溫度範圍
重複評級；脈衝寬度受最大限制。結溫。
起始 TJ = 25°C，L = 1.1mH，RG = 50Ω，IAS = -17A。
脈寬≤400µs；佔空比≤2%。
安裝在1英寸見方的銅板上時。
Rθ 是在大約 90°C 的 TJ 下測得的。
僅用於設計輔助，不受生產測試的約束。